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IXFH 15N100Q IXFK 15N100Q
IXFT 15N100Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
C iss
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
7
12
4500
S
pF
1
2
3
Terminals:
1 - Gate
C oss
C rss
t d(on)
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
410
150
28
pF
pF
ns
2 - Drain
3 - Source
Tab - Drain
t r
t d(off)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 2.0 ? (External),
27
67
ns
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
t f
Q g(on)
14
130 170
ns
nC
A
A 1
A 2
b
4.7
2.2
2.2
1.0
5.3
2.54
2.6
1.4
.185
.087
.059
.040
.209
.102
.098
.055
Q gs
Q gd
R thJC
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
31
67
0.35
nC
nC
K/W
b 1
b 2
C
D
E
e
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
L
19.81
20.32
.780
.800
R thCK
TO-247
TO-264
0.25
0.15
K/W
K/W
L1
? P
Q
3.55
5.89
4.50
3.65
6.40
.140
0.232
.177
.144
0.252
R
S
4.32
6.15
5.49
BSC
.170
242
.216
BSC
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-264 AA Outline
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
15
60
1.5
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = I S -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1
9
250
ns
μ C
A
Dim.
A
A1
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
2.54 2.89
Inches
Min.
Max.
.190 .202
.100 .114
TO-268 Outline
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
2.00 2.10
1.12 1.42
2.39 2.69
2.90 3.09
0.53 0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00 0.25
0.00 0.25
20.32 20.83
2.29 2.59
3.17 3.66
6.07 6.27
8.38 8.69
3.81 4.32
1.78 2.29
6.04 6.30
1.57 1.83
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
.062 .072
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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相关代理商/技术参数
IXFT15N100Q3
功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT15N80Q
功能描述:MOSFET 15 Amps 800V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT16N120P
功能描述:MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT16N80P
功能描述:MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT16N90Q
功能描述:MOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT17N80Q
功能描述:MOSFET 17 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT18N100Q3
功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT18N90P
功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube